【摘 要】
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本文研究了基于BZN变容管调谐的分布参数谐振器的VCO的技术,为了提高BZN电容的调谐能力和保持较高的谐振器Q值,选择了具有高Q的微带内部耦合的SIR并对其电调性能进行分析,首
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本文研究了基于BZN变容管调谐的分布参数谐振器的VCO的技术,为了提高BZN电容的调谐能力和保持较高的谐振器Q值,选择了具有高Q的微带内部耦合的SIR并对其电调性能进行分析,首次提出了一种新的电调结构,并对比了串联电调结构和并联电调结构对调谐率的影响,分别得到其实现宽带调谐的条件。在此基础上,完成了采用该电调谐振器的X波段VCO电路的设计,对比了λ/2传输线谐振器与本文提出的并联SIR皆振器的电路特性。在压控调谐范围内,本文提出的并联电调SIR的VCO电路在偏离载频100KHz处的相位噪声为-90dBc/Hz,偏离载频1MHz处的相位噪声为-116.2dBc/Hz。针对电路设计存在的不足,本文提出了进一步优化的建议。
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