晶体管是计算机高速运行的保障，晶体管技术的发展推动了计算机产业的革命，摩尔定律则间接推动了整个半导体行业的发展。现有的加工工艺已经发挥到了较高的阶段，传统材料极限无法突破，亟待更优良的新型材料出现来推动半导体产业发展。石墨烯材料作为近几年研究的热门材料，其拥有独特的电学及物理性质，它是只有一个碳原子厚度的二维材料，有着运算度快和体积小的双重优点，应用前景广泛。石墨烯晶体管的成功研发能够再延续摩尔定律经典。本文通过使用半导体工艺器件仿真软件TCAD进行器件的制造工艺和性能仿真，通过调研和分析，设计了该器件的制造工艺流程以及确定工艺参数，以这个器件模型为基础来研究基于石墨烯界面层的场效应晶体管的制造工艺和性能，通过对工艺数据的可控性修改得到一个合乎实际的模型。该FET基于SiC基底生长，省略了石墨烯从基底上转移的工艺，大大减少了可能引入杂质等问题，其制造的晶体管速度提升快，潜力巨大，仿真得到的IV特性以及特征频率等性能参数显示这种新型晶体管的高频率特性，都证明了石墨烯场效应晶体管的开发潜力是相当巨大的。