近年来,日盲紫外探测器因其在国防和民用领域具有潜在的应用价值而得到广泛关注,已成为了半导体光电子器件领域内的研究热点。如何抑制日盲紫外探测器在日盲区带外的光电流响应是提高探测器信噪比的关键,虽然有些材料如Ga₂O₃,Al Ga N等因具有本征的日盲特性,理论上不需要额外的滤波器辅助即可实现日盲探测,但由于材料中存在不可避免的缺陷和杂质,这些由缺陷和杂质引入的能级可能会导致器件对日盲区带外光信号的响应,造成器件的带外噪声。一维光子晶体滤波器由于其具备良好的滤波特性,可以用来过滤带外的光信号。基于Si N_x/Si O₂周期结构的一维光子晶体滤波器在可见盲区具有较宽的反射窗口,可以用作紫外波段滤波器,将其集成于Ga N基日盲紫外探测器背面有助于提高器件的日盲带内/带外光电信号响应抑制比。本论文围绕可集成于Ga N基日盲紫外探测器的Si N_x/Si O₂滤波结构展开研究,优化了Si N_x和Si O₂薄膜等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的工艺条件,对薄膜电学、光学性质与PECVD工艺参数之间的关系进行了实验探究与分析;设计并制备出一种可同时实现日盲区高透射率和可见盲区高反射率的Si N_x/Si O₂一维光子晶体滤波器,与背入射式Ga N基日盲紫外探测器集成后,显著抑制了日盲带外长波长方向的光电流响应;同时还设计出双周期与三周期的Al N/Al Ga N一维光子晶体滤波器,极大拓展了滤波器可见盲区的阻带带宽。具体研究成果如下:1.系统地优化了PECVD法制备Si N_x和Si O₂薄膜的生长工艺。通过调控反应气体流量、HF射频功率、腔内气压和衬底温度等工艺参数,制备了不同质量的Si N_x和Si O₂薄膜,并对薄膜生长速率、BOE腐蚀速率、击穿场强、折射率（n）和消光系数（k）等性能参数进行测量,得到了生长参数与Si N_x和Si O₂薄膜性能的关系图。2.设计并制备得到了高性能Si O₂/Si N_x一维光子晶体滤波器。采用多模耦合光学传输矩阵方法设计了具有抗反射涂层的Si O₂/Si N_x一维光子晶体滤波器,并依据优化后的Si O₂/Si N_x薄膜工艺生长条件,通过PECVD制备得到该滤波器结构。结果表明,采用NH₃取代传统的N₂作为N源制备得到的Si O₂/Si N_x一维光子晶体滤波器,在保证可见盲区的高反射率前提下,可有效提高日盲区的透射率。并通过二次离子质谱和光吸收谱等结果分析揭示了其物理机制,分析发现采用NH₃作为N源制备的Si O₂/Si N_x滤波器能更好地抑制Si N_x层H离子的浓度及Si ON过渡层的生成,有效地降低了Si ON对日盲紫外波段的光吸收以及Si-H键在整个紫外波段的光吸收。最终得到了在285 nm以下日盲区透射率达到80%,在285-345 nm波段反射率达到99%的高性能Si O₂/Si N_x一维光子晶体紫外滤波器。并将此滤波器集成于背入射式Al Ga N光电探测器背面,其日盲带外长波长方向光响应得到明显的抑制,响应度降低两个数量级,而在日盲区光电流响应度只是略有下降,证明了此Si O₂/Si N_x一维光子晶体紫外滤波器在提高日盲/可见盲区光电流响应抑制率方面具有良好效果。3.设计了一种可应用于日盲紫外探测器的多周期Al N/Al_0.5Ga_0.5N一维光子晶体滤波器,采用中心波长分别为285 nm、300 nm与320 nm的三个单周期一维光子晶体滤波器进行纵向叠加而成的三周期的滤波器,可实现280-340 nm波段内峰值反射率达到99%的宽阻带,是传统单周期Al N/Al Ga N光子晶体滤波器阻带宽度的2-3倍,能更进一步地提高日盲区与可见盲区的光电流响应抑制比。