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压敏电阻由于受到大电流的冲击,其内部结构不可避免地存在老化劣化现象,将会对系统的安全运行产生较大隐患。基于上述原因,研究大电流冲击作用下,ZnO压敏电阻特性变化具有较重要的现实意义。本文围绕ZnO压敏电阻在大电流冲击老化作用下器件特性变化这一问题,基于8/20μs电流冲击老化试验,对ZnO压敏电阻样品的宏观电容量特性,残压比,交流老化特性在试验前后性能的变化进行了相应分析,并得到下述结论：ZnO压敏电阻的C-t特性曲线在接受冲击后呈现出先降低后增长的趋势,基于Block-Model对影响ZnO压敏电阻宏观电容量的参数进行分析可知,宏观电容量的变化是由中电场区域生成的深能级施主复合和界面态俘获电子释放过程导致的,提出宏观电容量的变化可以作为判断老化的依据。通过实验表明在标称电流(In)冲击下,宏观电容量呈现先小幅下降,后不断上升趋势；宏观电容量和压敏电压的乘积在老化初期基本不变,老化到一定程度后急剧下降,而在最大电流(Imx)冲击下,宏观电容量快速上升且宏观电容量和压敏电压的乘积不断下降,在此实验结论基础上描述了冲击老化过程中晶界特性的变化特征,并得出结合宏观电容量能够更及时有效地衡量压敏电阻老化程度的结论。ZnO压敏电阻的残压比在标称电流(In)冲击老化试验过程中呈现缓慢降低--缓慢增加--快速上升的变化趋势；根据双肖特基势垒同热老化理论,得出冲击过程中残压比的大小主要由晶界层状态所决定,残压比快速上升阶段是由于晶界层大量破坏的结论,并由此提出了通过残压比变化率来衡量压敏电阻老化程度的新方法。基于ZnO压敏电阻交直流老化机理的理论分析,发现适当次数的8/20μs电流冲击作用会增强ZnO压敏电阻的交流耐受能力；ZnO压敏电阻的U1mA和Uo.1mA在交流老化过程中呈现小幅上升、缓慢下降、快速减小的趋势,非线性系数则呈现持续缓慢降低而后快速下降的趋势,结合上述趋势,进一步证明了不同老化阶段的老化机理,对实际中ZnO压敏电阻老化劣化的分析具有参考价值。