复合粒子化学机械抛光（CP-CMP）是一种用添加在抛光液中的聚合物粒子替代抛光垫的新型化学机械抛光（CMP）技术。本文以聚苯乙烯（PS）微球和有机热固型氨基树脂（MV）微球作为CP-CMP中的微型抛光垫，实现了硅片的CP-CMP抛光，并对抛光机理及玻璃盘粗糙度和微球浓度对硅片抛光的影响进行了分析。第一章：简述了CMP技术的应用与发展，详细介绍国内外学者在CMP技术方面所做的研究工作，给出本文的研究背景、意义及内容。第二章：介绍了CMP技术的机理及CMP过程的影响因素，根据抛光液中聚合物微球和SiO₂磨粒的相互吸引或排斥关系，提出两个CP-CMP技术模型。第三章：以微粒在溶液中的分散性理论（DLVO理论）为基础，根据CP-CMP抛光液对聚合物微球的要求，选用PS微球和MV微球为抛光液中的聚合物粒子。通过Zeta电位仪测试了PS微球的表面电位，利用透射电镜（TEM）对抛光液中的微球与SiO₂磨粒进行了观察，确定了抛光液中粒子间的吸附状态。第四章：通过CP-CMP技术实现了对硅片高抛光速率和低表面粗糙度的抛光，得到微球与SiO₂磨粒相互吸附情况下的硅片CP-CMP技术材料去除机理。利用田口直交试验法（Taguchi Method），制定出各种试验条件及其参数组合下的试验计划，并以较少的试验次数，得到硅片高抛光速率的工艺参数组合。以该组参数为依据，对硅片进行进一步抛光试验，分析了玻璃盘粗糙度和微球浓度对硅片抛光的影响。第五章：对全文进行总结，同时提出有待进一步研究的问题。