为了研究Mg²⁺对放射性脑损伤大鼠海马c-fos基因表达及学习记忆能力的影响,探讨Mg²⁺对放射性脑损伤的神经保护作用及其机制,本实验将SD大鼠随机分为实验组、实验对照组和空白对照组。实验组用5MeV电子线20 Gy全脑单次垂直照射建立大鼠放射性脑损伤模型,以照射后30 d内大鼠照射区皮肤褪毛、神经系统体征及海马病理切片为模型评价指标;分别于照射前1 d,前30 min,照射后即刻给与10%MgSO₄(400 mg·kg^-1)缓慢腹腔注射,照射后2 h用免疫荧光法检测海马c-fos基因表达;大鼠随机在照射后7 d、14 d、28 d处死,处死前3 d进行Y迷宫学习,处死当天进行Y迷宫记忆测试,测试后2 h处死动物并用免疫荧光法检测海马c-fos基因表达。实验对照组用等量生理盐水（normalsaline,NS）代替MgSO₄用药,空白对照组以假照射代替照射。结果显示:（1）大鼠头部受照射区域皮肤有准确的脱毛范围;病理切片可见海马齿状回神经元排列稀疏,齿状回境界不清;（2）实验对照组海马Fos蛋白水平较空白对照组明显升高（P＜0.01）,但MgSO₄干预的实验组海马Fos蛋白表达明显下降（P＜0.01）;（3）实验组大鼠28 d的Y迷宫学习记忆测试成绩明显优于实验对照组（P＜0.01）,学习记忆测试后Fos蛋白阳性细胞数也明显增多（P＜0.01）。但7 d、14 d实验组大鼠的学习记忆测试成绩及测试后的Fos蛋白表达与实验对照组大鼠相比无明显差别。结果提示:（1）放射性脑损伤大鼠海马齿状回神经细胞减少,但无明显的神经系统异常体征,全脑照射动物模型确实、可靠。（2）Mg²⁺对放射损伤引起的海马c-fos基因表达有明显的抑制作用。（3）Mg²⁺能明显改善放射性脑损伤大鼠恢复晚期的学习记忆能力。