【摘 要】
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随着5G时代的到来,光通信市场对于光芯片的需求也逐步提升,并且这个比例随着时间推移仍在持续上升。现阶段国内虽然存在不少的光通信企业,但是在芯片方面还有很多的短板,芯片自主提供的比例非常低。这也导致我国需要花费更多的资金去进口国外的芯片。芯片的设计和制造的发展要依赖于芯片的测试,通过芯片测试可以准确且快速发现芯片的设计局限,为芯片设计改进提供了方向。针对高速光芯片与正常光芯片之间的差异,通过研究老化
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随着5G时代的到来,光通信市场对于光芯片的需求也逐步提升,并且这个比例随着时间推移仍在持续上升。现阶段国内虽然存在不少的光通信企业,但是在芯片方面还有很多的短板,芯片自主提供的比例非常低。这也导致我国需要花费更多的资金去进口国外的芯片。芯片的设计和制造的发展要依赖于芯片的测试,通过芯片测试可以准确且快速发现芯片的设计局限,为芯片设计改进提供了方向。针对高速光芯片与正常光芯片之间的差异,通过研究老化测试系统各个部分,对其进行优化改良使整个系统在测量精度和可靠性上得以提高,从而使之广泛应用于高速光芯片的生产中。本文主要工作内容如下:(1)阐述了现阶段高速光芯片在老化测试中重难点及老化测试的基本原理。以LD芯片作为研究对象,介绍LD芯片的光电特性、测试方式和失效模式。(2)将老化测试系统划分成测试系统、老化系统及载物夹具三个部分,测试系统主要从温度控制和输出光功率测量作为研究对象,老化系统以散热能力作为研究对象,而载物夹具针对整个系统的辅助功能也是一个重要研究方向。(3)新的老化测试平台以温度控制、光功率测试及载物夹具这三个方向为出发点。测试台位温度误差由1.5℃降低到0.6℃;输出光功率测试精度从50%到98%;老化设备温度误差由5℃降低到1℃;老化测试平台的成品率从70%上涨到90%。(4)通过可靠性试验检验老化测试平台的性能,多次试验后不难发现老化测试平台存在上下料困难以及噪声对阈值电流测量干扰这两个问题。上下料的问题可以通过机械手与MES系统相结合的方式来解决,而噪声的问题则采用小波变化处理数据以此降低噪声干扰。
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