MEMS(微电子机械系统)是21世纪科技与产业的热点之一,而微细加工技术又是MEMS发展的重要基础。在MEMS领域中,常需要用到具有一定厚度和深宽比的微结构,LIGA(X射线深层光刻、电铸成型和微复制)技术是制作这种微结构的重要手段,因此成为MEMS微细加工中十分重要的技术。LIGA技术需要昂贵的同步辐射X射线源,因此,限制了其广泛的应用。本文首次提出采用紫外激光作为曝光光源的Laser-LIGA技术,对SU-8胶进行曝光光刻不仅成本低、易推广,而且具有大幅度提高光刻深宽比的潜力。本文采用波长为355nm的三倍频Nd:YAG激光作为曝光光源,对SU-8光刻胶进行光刻研究。首先分析了激光紫外光源与普通紫外光源在单色性与方向性上的差异,论证了采用激光紫外光源曝光SU-8光刻胶的优势。初步研究了SU-8胶的光刻工艺流程,讨论了涂胶、前烘等各个步骤对光刻结果的影响。然后在实验上研究并分析了曝光深度随曝光时间的变化规律和曝光深度随曝光功率的变化规律。结果表明,当固定曝光功率,不断增加曝光时间时,曝光深度的增加趋于缓慢,程指数曲线形式变化,可表示为,当曝光时间不断增加时,曝光深度的增加趋近于饱和;当固定曝光时间,不断增加曝光功率时,曝光深度程线性趋势增加,可表示为y =40. 5x0.151y = 0 .238x+44.454。最后依据前面得到的实验规律,制作了几种不同厚度的SU-8胶微结构,SEM照片显示图形质量较好,侧壁垂直,图形最大高度可达250微米,深宽比可达10。对实验结果的分析表明,进一步提高光刻深宽比的空间很大。