作为SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路的核心器件,SOI横向高压器件较低的纵向击穿电压限制了其在高压功率集成电路中的应用。为此,国内外众多学者提出了一系列新结构以提高SOI器件的纵向耐压。本文采用数值仿真研究了具有复合埋层SOI高压器件的耐压机理、耐压特性以及背栅效应。该结构特征在于:复合埋层由两层氧化层及其间的多晶层构成,且第一埋氧层开窗口。器件处于阻断状态时,第一埋氧层阻止了漂移区横向电场对多晶硅下界面空穴的抽取。一方面,该空穴提高第二埋氧层的电场,因而可在较薄埋氧层上获得高耐压SOI器件,在获得高耐压的同时也缓解了SOI器件的自热效应;另一方面,此空穴层又屏蔽了背栅电压对SOI器件顶层硅和第一埋氧层的影响。利用工艺模拟软件TSUPREM-4对器件工艺进行仿真,基于非等平面埋氧层的SOI材料制备工艺,研制出耐压达760V的复合埋层SOI LDMOS,其第二埋氧层电场从常规SOI器件埋氧层的120V/μm以下增至400V/μm以上。同时,本文介绍了器件仿真软件MEDICI的基本特性以及相关应用,这是本文的数值仿真的工具和理论验证手段。