随着微电子技术的飞速发展,电子元器件的散热问题越来越受到人们的关注。传统电子封装材料已不能满足新一代电子器件的封装要求,为此亟需研发一种具有高热导率,同时线性膨胀系数与芯片和基板热匹配良好的封装材料。针对此背景,本论文开展了无压浸渗制备高导热金刚石/铜复合材料的研究。主要研究内容和结果如下:盐浴温度1050℃,保温30min时钨粉和金刚石颗粒反应生成W₂C,获得的镀层致密,厚度为1.32μm;经无压浸渗后制备所得的金刚石/铜复合材料热导率为461W?m^-1?K^-1,泄漏率为7.3?10^-10Pa?m³?s^-1。用JGCF-600型颗粒镀膜机在金刚石颗粒表面磁控溅射钨镀层,镀层主要物相为W,附着结合力较弱,金刚石表面呈现乌黑色;镀层厚度（h）与溅射功率（p）及时间（T）的规律符合表达式;h=2.817-0.0069P+0.2406T+0.0181T²。磁控溅射镀层厚度为300nm时,用扫描电镜和X衍射仪对金刚石颗粒表面镀层进行表征,发现金刚石颗粒表面的镀层均匀并且其相组成主要为W。在700℃和800℃热处理2h后镀层物相没有碳化物;900℃热处理2h,碳原子扩散反应生成WC和W₂C;继续升高温度使扩散反应充分镀层物相转化为WC;900℃处理2h镀层结构由表及里分别为W-W₂C-WC-Diamond;1050℃处理2h镀层结构由表及里为WC-Diamond。XPS分析结果知,金刚石颗粒表面磁控溅射镀钨9h后,镀层表面钨的化学态主要以钨单质和W⁶⁺的形式存在,O^2-离子也存在于不同的化合态环境中。经700℃、900℃和1050℃热处理,随热处理温度的升高,钨单质增加,W⁶⁺减少。当热处理温度升到1050℃时,镀层表面的钨以单质态、WC及少量的W⁶⁺的化学态存在。用无压浸渗法成功制备了金刚石颗粒增强铜基复合材料;用工业CT和扫描电镜对金刚石/铜复合材料的显微组织及缺陷进行研究。结果表明,金刚石/铜复合材料致密,镀层显著改善了铜和金刚石之间的润湿性;局部存在孔洞、金刚石偏聚、富铜等缺陷;具有密度低（5.39g/cm³）、热导率高(761 W?m^-1?K^-1)和致密性好(2.5×10^-10 Pa?m³?s^-1)的特性。无压浸渗法制备表面有金属层的金刚石/铜复合材料典型样件,同时用理论模型计算金刚石/铜复合材料的界面热阻。