利用化学共沉积反应，辅之负压抽滤方法，在多孔氧化铝模板(AAO)纳米阵列孔道内制备多元稀土氧化物纳米线阵列。用SEM、TEM、XRD、EDS、荧光分光光度计(PerkinElmer LS-55)等，表征上述纳米线阵列的形貌、结构、化学组成和荧光性能。研究了上述纳米线阵列的生长机理并得到最佳制备工艺条件，讨论了掺杂不同的元素及Eu3+掺杂量对其荧光强度影响。　　主要研究结果如下:　　1.成功地制备出镧基稀土氧化物LaTbxOy、LaNixOy、LaxOy∶Eu3+、LaTbxOy∶Eu3+、LaNixOy∶Eu3+纳米线阵列，上述纳米线阵列材料均为非晶态结构，形貌均一、大面积高度有序。研究了反应物浓度、反应时间、抽滤压力、热处理温度等，对可控制备纳米线阵列的影响。　　2.研究了镧基稀土氧化物LaTbxOy∶Eu3+纳米线阵列荧光性能，在394nm波长光的激发下，LaTbxOy∶Eu3+纳米线阵列在619nm和710nm处出现荧光发射峰，其对应于Eu3+的5D0-2F2和5D0-7F4能级跃迁，且荧光发射峰发生红移。荧光检测实验中，没有出现LaTbxOy∶Eu3+纳米线阵列中Tb3+的5D4-7F5能级跃迁对应在544nm荧光发射峰，其归因于受基质AAO影响而消失。　　3.在394nm光波长激发下，LaTbxOy和LaNixOy纳米线阵列没有荧光发射峰，掺Eu3+的LaxOy∶Eu3+和LaTbxOy∶Eu3+纳米线阵列在红光区域均具有荧光发射峰，实验结果表明:Tb3+具有荧光增强效应，Ni2+离子使LaNixOy∶Eu3+纳米线阵列荧光猝灭。当Eu3+的掺杂含量为8％时，荧光强度达到最大值。基于Tb3+荧光增强效应和Ni2+荧光猝灭效应，有望使LaTbxOy∶Eu3+和LaNixOy∶Eu3+纳米线阵列用作医学显像材料或生物标记材料。