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能源是人类社会向前发展的基础,环境是人类可持续发展的必要条件。太阳能光伏发电作为一种重要的清洁新能源,越来越引起人们的关注。最近几年,太阳能电池的产量以前所未有的速度增长,其中多晶硅太阳能电池占据市场的53%。在晶体硅电池制造工艺中,酸液刻蚀技术越来越多的应用于多晶硅太阳电池工业化生产。但一般酸液刻蚀表面减反射效果尚不理想,而且其自催化性使其在应用过程中出现可控性差、重复性差等问题。本文围绕多晶硅表面酸刻蚀处理技术的改进开展初步研究。我们首先详细研究了HF/HNO3/H2O系统制备太阳能级多晶硅片表面减反射面的一些规律。研究了不同溶液配比、温度、水的添加对刻蚀速率的影响规律,不同阶段的刻蚀形貌及其对应的反射率特性。结果表明:HF（40%）:HNO3（70%）的体积比为99:1～94:6（富HF）情况,或者HF（40%）:HNO3（70%）的体积比10:90～5:95（富HNO3）情况下,;温度控制在0～20℃;水的添加能使刻蚀速率满足工业化生产的需要。在HF（40%）:HNO3（70%）:H2O=24:1:5（vol）,室温下制备出的多晶硅片减反射面,其平均反射率达到最低,12%,并且刻蚀速率为10μm/min左右,符合工业化生产要求。其次,研究了添加物理辅助手段——超声波的应用来优化了HF/HNO3系统,并详细研究了超声波的加入对刻蚀速率的影响以及对表面形貌和反射率效果的影响。超声波的加入能使HF/HNO3系统对多晶硅片的刻蚀速率进一步降低,达到5μm/min,同时有利于多晶硅表面微粗糙度的形成,所制备的多晶硅绒面平均反射率达到了3.5%。再者,本论文提出了一个新的刻蚀体系——紫外辐照下的HF/HBr——来制备多晶硅片的减反射面。用正交实验法研究了新型刻蚀体系中各成分对刻蚀速率的影响,重点研究了影响力最大的HF的添加量对刻蚀速率的影响。并进一步研究了最佳配比下不同阶段的刻蚀形貌及制备出的反射率特性情况。新系统制得的多晶硅片减反射面,其平均反射率最低达到5%,刻蚀速率为12μm/h,反应稳定,易于控制,有一定的工业应用前景。最后,本文提出了一些后续工作的建议,希望刻蚀体系的进一步优化能使其早日应用于太阳能多晶硅片减反射面制备的工业化生产。