稀土掺杂宽禁带半导体在光学和磁学具有广泛的应用前景。本论文选取Eu掺杂AlN为研究对象,通过Al粉、氮气、Eu₂O₃粉为反应源料,采用直流电弧法制备Eu掺杂AlN纳米线。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼散射、透射电子显微镜、EDS和XPS对制得的样品进行形貌和组分表征。通过光致发光和磁性的测试,发现Eu掺杂AlN纳米线具有很强的绿色发射峰,并且在室温下具有铁磁性,表明AlN:Eu纳米线在发光器件和稀磁半导体中具有潜在的应用价值。系统研究掺杂浓度和温度变化对Eu掺杂AlN纳米线的发光性能的影响。Eu掺杂浓度为1%时具有最强的绿色发射峰,受浓度猝灭影响掺杂浓度提升发光效率降低,发光中心红移。AlN:Eu纳米线随着温度的升高,发射强度迅速降低。高压研究是通过压力手段调节原子间距离、相邻电子轨道之间的重叠、能带间隙来研究材料结构和性能。并通过压力改变Eu离子所处晶体对AlN:Eu纳米线发光性能进行研究。本论文利用原位高压X射线衍射（ADXRD）和高压发光的测试,探讨了高压对Eu掺杂AlN纳米线结构稳定性及发光性能的影响。发现在高压条件下AlN:Eu纳米线在19.58 GPa的压力下发生由纤锌矿结构到岩盐矿结构不可逆转的结构相变。通过对数据分析AlN:Eu纳米线纤锌矿的体弹模量为B₀=346（26）GPa,相变过程中体积塌陷约为16.7%。AlN:Eu纳米线在压力作用下发光中心产生红移,发光效率降低,表明AlN:Eu纳米线可以通过压力调控其发光波段,具有成为压致变色材料和压力指示材料的潜在应用价值。