拓扑材料作为当今凝聚态物理领域热门的一种新型量子功能材料,在最近几年受到了越来越广泛地关注,并被拿来广泛研究,例如拓扑绝缘体、外尔半金属等。其中一些新奇的物理现象也在该类材料的磁性掺杂中被发现,并用于奇特物理现象的研究。比如内部为绝缘态,表面为金属态的拓扑绝缘体,电子高度自旋和受时间反演对称保护的拓扑表面态使其成为研究自旋电子学的理想材料。另外磁性掺杂的拓扑非平庸材料往往容易产生本征的铁磁性,这对于破坏其时间反演对称性并打开表面态能带,观察反常霍尔效应(AHE),进而实现量子反常霍尔效应(QAHE)具有重要意义,也为新奇的物理现象的探究以及实现无耗散的边缘态提供了理想材料。近些年,在拓扑材料中,关于Sb-Te二元化合物体系也有广泛的研究,其中包括磁性掺杂的Sb2Te3以及Sb2Te,对于Sb4Te3的单晶生长以及磁性掺杂后的基本物性缺鲜有报道。本文直接利用缓慢降温法对几种磁性掺杂的Sb-Te二元化合物进行高质量单晶生长的探索,并对生长出的单晶进行结构表征以及对磁性、电输运性质的研究,相关的工作主要有:1.首先通过改变合成原料和摸索生长程序成功获得高质量的Sb4-xCrxTe3单晶样品。通过XRD、EDX等结构表征手段,确定得到的晶体样品中Sb:Te=4:3。对得到的单晶样品进行磁性和电输运性质的测试。通过数据分析表明,当x=0.04时得到了最高的居里温度Tc=7 K,并且在该浓度下,在霍尔电阻的测量中发现了反常霍尔效应(AHE),直接证明了样品中的铁磁态是本征的,而非磁性元素杂质引起的。霍尔电阻的测量也表明了占主导地位的载流子为空穴,并且空穴浓度随样品掺杂浓度的增加而增大。2.对Sb2-x Mnx Te和Sb2-xVxTe的单晶生长、物相和磁性的研究和分析。磁性测量的结果表明在Mn和V掺杂的样品中都发现了较弱的铁磁信号,受掺杂浓度和生长条件的影响,没有观察到明显的铁磁转变。