相比于其他极紫外光源(EUV),激光等离子体EUV光源具有亮度高、体积小、稳定性强和波长可控等优势。在集成电路制造、掩模检测计量学以及生物成像等应用中,极紫外光源起着至关重要的作用。本文系统研究了激光烧蚀五种金属靶材:铝(Al)、钼(Mo)、锡(Sn)、钆(Gd)和铋(Bi)形成等离子体时所产生的极紫外光辐射。进一步,利用双脉冲打靶方法,优化了不同金属靶极紫外光源的辐射强度。具体研究内容和结果如下:首先,研究激光脉冲分别与Al、Mo、Sn、Gd、Bi靶相互作用产生极紫外光源的辐射特性。改变入射激光能量,研究表明五种靶材的EUV光辐射均随着入射激光能量的增大而增强。选取入射激光能量为200mJ,进行了透镜位置对输出光强的影响研究,发现金属靶位于透镜焦点位置时,并不对应EUV光辐射最强的位置。在移动聚焦位置时,五种靶材的EUV光辐射呈现先增加后减小的趋势。另外,通过改变同一打靶位置处激光打靶脉冲数,研究了五种靶材产生EUV光谱的强弱变化,结果表明Mo靶的重复使用率最高。其次,利用双脉冲激光打靶方法对激光等离子体的极紫外辐射进行了优化研究,观察预脉冲能量、预-主脉冲时间延时等条件对Al、Mo、Sn、Gd、Bi靶EUV光辐射特性的影响。实验结果表明,五种靶材产生的EUV光辐射随预脉冲能量的增加均呈现先增加后减小的趋势。而随着预-主脉冲延时的增加,五种金属靶的EUV光辐射先减小后增大。在最佳预脉冲能量、预-主脉冲延时的实验条件下,双脉冲产生的极紫外光谱辐射强度分别是单脉冲打靶时极紫外光辐射强度的1.77、1.67、1.97、1.65和1.64倍。结果表明,双脉冲激光打靶方法可以大幅提高激光等离子体极紫外光源的输出功率。