近年来随着石墨烯的发现,各种石墨烯二维材料相继成为研究热点,其中单层过渡金属硫化物(TMDCs)最为受到研究者的关注。单层TMDC材料,如MoS2、MoSe2、WSe2和WS2都是直接带隙半导体材料,很好地弥补了石墨烯带隙为零的不足。单层WSe2具有优异的光电性能,其1.65 eV的直接带隙宽度能满作为电子器件和光电器件的大部分需求,并且单层WSe2是为数不多的可同时具有p型和n型导电特性的TMDCs材料,这使得制作单层互补逻辑电路成为可能。二维材料的高质量、大规模制备方法是其制作大规模器件必不可少的前提,化学气相沉积(CVD)法是制备二维材料的最主要方法之一,并最有希望在工业上实现量产。但迄今为止,如何利用CVD法制备大规模、高质量WSe2薄膜仍然是个亟待解决的问题,因此研究CVD法制备WSe2薄膜的最佳生长条件及生长机理具有十分重要的意义。论文主要研究了大尺寸二硒化钨薄膜在常压CVD法下的可控制备,并探讨了生长温度、前驱物钨源的量以及钨源与衬底之间的距离对WSe2薄膜生长的影响。通过对这些因素进行调控,在SiO2/Si衬底上制备出了最大尺寸为50μm的单层WSe2三角形薄膜、150μm的六边形单层WSe2薄膜以及0.5 cm×0.5 cm大面积连续WSe2少层薄膜。利用光学显微镜、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对单层WSe2薄膜进行了表征,结果表明单层WSe2薄膜表面形貌完好且尺寸大,AFM测得了其高度约为0.9 nm。通过光学显微镜与拉曼光谱确认出同一样本下单层、双层及三层的WSe2薄膜;在此基础上,对单层、双层及三层WSe2薄膜的光致发光谱(PL)进行了研究,分析了二硒化钨从体材料向单层转变时能带结构的变化规律。