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一种单片功率集成电路的器件和工艺设计考虑

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mdyd888

【摘 要】

：

本文介绍了一种功率集成电路的器件和工艺设计,根据电路的功能要求,对比了PN结隔离和SOI介质隔离以及各种硅器件的特点,考虑了电路的耐压、电流和功率的要求,采用了键合SOI介

【作 者】

：

考虑 谭开洲 石红 杨国渝 冯建 刘勇 

【机 构】

：

电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

【出 处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

单片 功率集成电路 器件耐压 兼容工艺 介质隔离 功能要求 工作电压 工艺设计 电流 流处理 硅器件 能力 键合 

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本文介绍了一种功率集成电路的器件和工艺设计,根据电路的功能要求,对比了PN结隔离和SOI介质隔离以及各种硅器件的特点,考虑了电路的耐压、电流和功率的要求,采用了键合SOI介质隔离和CMOS/LDMOS兼容工艺实现了电路功能,该电路使用了9V和24V两种工作电压,集成双LDMOS器件耐压80V,单片电流处理能力为6A.

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