【摘 要】
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报道了本研究组制备的Si衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片的光电性能与电流、老化时间的关系。采用压焊和化学腐蚀转移技术，制备出1mm×1mm的芯片，该芯片封装的LED经过900mA、常温下老化1044h后，没有观察到明显光衰，小电流下外量子效率随老化进行而提高，而大电流下外量子效率未见明显变化，350mA的主波长变化不超过0.2nm，将之归因于Si衬底GaN基薄膜较好的晶体质量、良好的散热性
【机 构】
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南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047 南昌大学 教育部发光材料与器件工程
【出 处】
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第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED)
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报道了本研究组制备的Si衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片的光电性能与电流、老化时间的关系。采用压焊和化学腐蚀转移技术，制备出1mm×1mm的芯片，该芯片封装的LED经过900mA、常温下老化1044h后，没有观察到明显光衰，小电流下外量子效率随老化进行而提高，而大电流下外量子效率未见明显变化，350mA的主波长变化不超过0.2nm，将之归因于Si衬底GaN基薄膜较好的晶体质量、良好的散热性以及较合理的芯片结构。综上所述，Si衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片具有优良的可靠性。
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