【摘 要】
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超晶格多层膜由于巨磁电阻效应较大,已普遍应用于磁传感器领域。NiFe合金为磁层材料的超晶格和自旋阀结构通常具有较低的饱和磁场和交换磁场(多层膜目前基本都采用物理法制备，电化学方法在国内外鲜有报道。本文采用单槽控电位双脉冲技术在单晶硅上电沉积[NiFe/Cu]多层膜，井对其结构，巨磁电阻效应和磁性能进行了研究，
【机 构】
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天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津,300072
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超晶格多层膜由于巨磁电阻效应较大,已普遍应用于磁传感器领域。NiFe合金为磁层材料的超晶格和自旋阀结构通常具有较低的饱和磁场和交换磁场(<1Oe),在超高密度磁记录领域中倍受关注。然而[NiFe/Cu]<,n>多层膜目前基本都采用物理法制备，电化学方法在国内外鲜有报道。本文采用单槽控电位双脉冲技术在单晶硅上电沉积[Ni<,80>Fe<,20>/Cu]<,n>多层膜，井对其结构，巨磁电阻效应和磁性能进行了研究，
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