【摘 要】
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本文使用MOCVD方法，在蓝宝石衬底上通过GaN过渡层进行了AlInN薄膜的生长，并研究了生长温麦和生长压力对其表面形貌和In组分的影响。生长温度变化的研究表明。在一定温度范围内，降低生长温度司以获得更高的In组分，当生长温度为T3时，In组分为17.5％，与GaN实现了晶格匹配。当生长温度为T1时，由于张应力，AlInN发生开裂;通过研究生长压力发现，在一定压力范围内，降低生长压力可以获得更佳的
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室 济南市山大南路27号 250100 山东华光光电子有限公司 济南市天辰大街1835号 250101
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本文使用MOCVD方法，在蓝宝石衬底上通过GaN过渡层进行了AlInN薄膜的生长，并研究了生长温麦和生长压力对其表面形貌和In组分的影响。生长温度变化的研究表明。在一定温度范围内，降低生长温度司以获得更高的In组分，当生长温度为T3时，In组分为17.5％，与GaN实现了晶格匹配。当生长温度为T1时，由于张应力，AlInN发生开裂;通过研究生长压力发现，在一定压力范围内，降低生长压力可以获得更佳的表面形貌。最终，使用压力P3，温度T3生长的AllnN薄膜质量最佳。
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