硅中的氮氧复合物及其施主行为

来源 :1998年全国半导体硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yl19850320
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含氮CZ硅的电学性能完全有别于含氮的FZ硅和无氮的CZ硅,研究表明,含氮CZ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失。文章进一步研究了氮-新施主的结构模型,并对氮-新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨。
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