退火温度对乙醇体系旋涂法制备Cu2ZnSnS4薄膜的性能影响

来源 :第十四届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiafe
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
Cu2ZnSnS4(CZTS)不仅具有较高的光吸收系数(>104 cm-1)和与太阳能电池吸收层相匹配的禁带宽度(约为1.50 eV),而且其组成元素在地壳中储存量丰富、毒性低,被认为是一种绿色、廉价、适合大规模生产的太阳能电池吸收层材料.本文采用无毒的乙醇作溶剂,金属氯化物和硫代乙酰胺(TAA)为原料,单乙醇胺(EMA)为添加剂制备均匀的前驱溶液,并采用旋涂法和真空退火处理制备CZTS薄膜.系统研究了真空退火温度对薄膜性能的影响.通过扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射(XRD),Raman以及紫外可见近红外吸收光谱对CZTS薄膜进行形貌、晶型以及光学性质研究. 结果表明:金属离子与TAA形成配合物致使其在乙醇-EMA溶液中具有较好的溶解性.真空退火温度为400℃,退火时间为30min时,可以得到含有片状形貌尺寸大小为200nm左右的CZTS;当真空退火温度为500℃,退火时间为30min时,可以得到锌黄锡矿结构的CZTS,其尺寸大小为50 nm左右,禁带宽度为1.54eV.
其他文献
方家山机组采用的主泵与国内其它核电站用的主泵有很大区别,本文先大致介绍了方家山主泵的概况,然后详细地阐述针对方家山主泵调试过程中出现的问题以及处理方法.主要问题有:泵轴振动大,部分逻辑不适应现场,轴封系统问题,油系统问题等等.
东方阿海珐核泵有限责任公司为引进消化吸收法国热蒙CPR1000型主泵技术,为满足主泵出厂性能试验的要求,采用法国技术建造了一座小流量试验台,为适应该试验台的本土化要求及提高试验安全性、优化操作性能的需要,在法国热蒙试验台原理的基础上进行了全面的自主化设计,扩充了多项主要功能,对测控系统等几个主要系统做了优化和改进设计,实现了试验台测量与控制的全数字化,各项试验指标满足主泵试验大纲的要求,试验台国产
针对国内某百万千瓦核反应堆主泵的水力性能要求,完成主泵水力部件设计;为研究出口收缩角α对水力性能的影响,设计了13种压水室出口收缩角,采用三维软件Pro/E完成了三维造型;利用计算流体力学(CFD)软件Fluent进行定常与非定常三维数值模拟,得到内部流场特性及计算点的压力脉动情况,并对其进行分析.结果表明:收缩角α对压水室与出口交接处的前后区域影响显著,收缩角α在12°~16°范围内,主泵效率均
我国城镇住房制度改革与住房发展具有极为重要的意义.1998年中央做出了"停止实物分房"的重大改革决策之后,住房的市场需求和开发规模快速上升;但此后住房发展中出现了种种失衡,引起了各界的高度关注.某种程度上,住房制度改革中的困惑映射了我国经济转型和社会变迁中的深层次矛盾.因为住房既是一个经济问题,直接影响中国经济的发展;同时又是一个社会问题,涉及社会的公平正义与稳定和谐;此外,住房还是一个空间问题,
结合杭州市秋石快速路二期半山隧道以南段高架工程的特点及关键难点,主跨为70米、65.25米钢箱梁跨越建筑物,采用两台QUY400型400t履带式起重机横向分节段整体一次性吊装到位,其施工流程为:分片钢箱梁两段在胎膜架上纵向组队焊接→分片钢箱梁临时加固支架吊装→分片钢箱梁临时加固支架焊接→分片钢箱梁在胎膜架上模拟支座状况试吊装→分片钢箱梁吊装→分片钢箱梁在临时承重支架上调整拼装→分片钢箱梁临时固定焊
结合杭州市秋石快速路二期半山隧道以南段高架工程主跨65.25米钢箱梁静动载试验的案例,详细介绍了桥梁荷载试验的目的、依据、内容、实施方案、检测评价结论及建议,为同类工程的荷载试验提供有益的指导.
Nanowires have attracted increasing interests because one-dimensional (1-D) nanomaterials can offer a range of unique advantages in many energy related fields.[1-6] For previous Iithium battery applic
会议
结合杭州市秋石快速路二期半山隧道以南段高架工程主跨为70米、65.25米钢箱梁吊装施工监控方式的案例,详细介绍了施工监控的目的、依据、方案论证、监控结果,为同类工程的施工提供有益的指导.
本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但是其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.提高Ⅴ/Ⅲ比可以
采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5%组分的SnO2和95%的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并将其用于ITO金属和ITO/n-GaAs之间非整流接触的研究.利用圆形传输线模型的方法来测试不同退火温度下样品的接触电阻率,得到ITO与金属镍的最小接触电阻率为2.81×10-6 Ω·cm2.忽略金属与ITO接触电阻以及金属自身电阻影响后测得ITO