硅微波功率晶体管动态加速寿命试验研究

来源 :第九届全国可靠性物理学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:band420
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本试验是对微波器件工作状态可靠性评价技术的探索,采用了与器件微波工作状态一致的试验技术,简化了试验设备,提高了设备可靠性.
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本文介绍了一种具有多种保护功能的抗辐射加固铁氧体移相驱动器的电路设计,内部电路结构复杂,保护功能完善,大大提高了系统的使用可靠性.本文主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃~125℃全温范围内,输出延迟时间≤300ns,输出上升时间≤100ns,输出高电平≥19V,输出低电平≤0.3V,抗总剂量指标达到1×10rad(Si)。
本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
对MOSFET在不同剂量率条件下的电离辐照效应进行了研究。结果显示:在实验的剂量率和总剂量范围内,在各种剂率辐照下,NMOS管和PMOS管的阈电压都出现负漂,且随辐照总剂量的增加而增大;在相同的总剂量时,PMOS管的低剂量率辐照时的阈电压漂移更显著,而NMOS管的则正好相反。
本文对A1/SiO/Si系统MOS电容分别在总剂量辐照和热载子注入下的损伤和电参数响应特性进行了比较,并通过对MOS结构进行不同顺序的热载子注入和总剂量辐照复合损伤试验,探讨了热载子损伤和电离辐射损伤的相互作用关系及其对电参数的影响,取得了有意义的结果和结论。
在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的128K静态随机存储器的抗总剂量率(TID)水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45x10rad(Si)/s。本文重点介绍该抗辐射SRAM在加固方面的设计方法,并给出其封装后的电学及辐照测试结果。
本文对航天用独石电容器在使用过程中出现的一些常见失效模式如电容器短路或呈阻性,电容器容值下降或开路等常见失效模式进行了介绍,并对其常见的失效原因及机理进行了分析.
文章主要通过产品质量引发经济合同纠纷的主要表现形式,剖析了产生经济合同质量纠纷的根源,从产品可靠性与质量管理的角度提出了严格产品标准化工作的管理,为维护商品流通的正常秩序,维护国家和社会公众的利益,开展可靠性分析,正确评价产品质量.
本文对光通讯网络的基本特点及可靠性要素进行初探,总结了最新的技术资料.对光网络的可靠性从传输系统可靠性和局域网可靠性分别论述,其中也包含微软公司、IBM公司以及中软总公司的观点.与有关业内人员商榷.
电真空器件的米波雷达发射机(下称发设机)由于具有频率连续可调、低的成本,成熟的技术等优点,使得它在现代雷达中仍占有一席之地.本文叙述了在该类发射机结构设计时为提高其可靠性做的种种努力,改变了雷达众组合中发射机故障率较高的状况,通过实例谈谈这方面的体会.
介绍了某型号S波段微波功率器件在动态加速寿命试验中的主要失效模式,分析了失效机理.从失效样品的参数测试结果及解剖分析看,造成器件的主要失效机理是:金属化电极尤其是发射极在电流和温度的共同作用下发生的电迁移失效.这是影响微波功率器件长期工作寿命的主要失效机理之一.