【摘 要】
：
随着Ⅲ-Ⅴ族单片集成电路技术的集成度、工作频率以及半导体工艺的飞速突破,以及对高速无线传输渴望,处于“非大气窗口”的60GHz技术掀起了一场Multi-Gigabit短距离无线传输“风暴”。中国科学院上海微系统与信息技术研究所通过自主搭建基于OOK调制体制60GHz通信系统前端应用演示系统,以及基于QPSK调制体制的60GHk通信系统前端应用演示系统,充分验证了具有自主知识产权的60GHk单片集成
【机 构】
：
太赫兹固态技术实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050 太赫兹固态技术实验室
【出 处】
：
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
随着Ⅲ-Ⅴ族单片集成电路技术的集成度、工作频率以及半导体工艺的飞速突破,以及对高速无线传输渴望,处于“非大气窗口”的60GHz技术掀起了一场Multi-Gigabit短距离无线传输“风暴”。中国科学院上海微系统与信息技术研究所通过自主搭建基于OOK调制体制60GHz通信系统前端应用演示系统,以及基于QPSK调制体制的60GHk通信系统前端应用演示系统,充分验证了具有自主知识产权的60GHk单片集成电路技术、60GHk Multi-gigabit无线通信系统架构方案以及60GHk前端微系统集成方案的可行性.
其他文献
本文利用氮氢混合等离子体处理SiO2/SiC界面,并借助于MOS 电容的I-V、C-V电学特性测试对氧化膜质量及界面电学特性进行评价。测试结果显示,氮氢混合等离子体处理10min效果最好,获得的氧化膜击穿场强为9.92MV/cm.SiO2与SiC间的势垒高度为2.71ev,同时导带附近(Ec—E=0.23eV)的界面态密度降低至1.14×1012cm—eV-1这表明氮氢混合等离子体处理能在不破坏氧
在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型为基础,分析了Ni肖特基接触势垒高度,并通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解计算得到制备样品零偏压下势垒高度:又依据导出的AlGaN/GaN异质结构中零电场下的势垒高度同零偏压下势垒高度之间的关系,计算得到所制备样品零电场下
本论文主旨是在探讨、分析及制作1.8GHz氮化鎵低杂讯功率放大器(Low noise amplifier),利用0.5um氮化铝镓/氮化镓高电子移导率场效电晶体(A1Gabl/GeN high electron mobility transistor,HEMT),制作一个两级的架构,第一级尽量降低输出杂讯,第二级提高输出增益,且翰入端用低通滤波器(Low-pass filter)尽量匹配到50Ω,
利用测得的方形和圆形A1GaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性.我们发现由于AlN插层使得二维电子气与极化电荷的间距变大,从而导致由AlGaN势垒层应变不同而引起的极化梯度库仑场散射在AlGaN/AlN/GaN异质结构中与在AlGaN/GaN结构中相比相对变弱,但极化梯度库仑场散射在方形和圆形AlGaN/A1N/GaN场效应晶体管中仍然对二维电子
作为一种新型的半导体激光器件,双量子阱半导体激光器可以在同样电流下输出相当于单量子阱半导体激光器两倍的光功率。本文主要进行了双量子阱结构高功率半导体激光器的研制开发。首先研究并优化了器件的热管理和热应力管理,设计了一种新型的双面散热封装结构,开发了双面散热技术,显著降低了双量子半导体激光器有源区的温度。制备了波长808nm输出激光功率高达514.8W的准连续波双量子阱半导体激光器,该激光器的斜率效
为了满足钇铁石榴石(YIG)与Ag电极低温共烧,本文采用固相反应法制备了Bi:YIG系列铁氧体材料。借助XRD、SEM和网络分析仪等技术手段研究了Bi3+对YIG铁氧体的体积密度、相组成、微观结构及介电性能的影响。结果表明:Bi3+取代可以降低YIG铁氧体的烧结温度,同时还有效地改善了该铁氧体材料的介电性能。在Bi3+取代所有组成范围内,XRD显示了单一石榴石结构。l000℃烧结成分为Y2.6 B
本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEM
我们分别开展了2.3MeV20Ne8+离子和5.0MeV84K19+离子辐照GaN样品的实验.并对实验样品进行了高分辨XRD的分析。我们发现，随着这两种离子辐照剂量的增大，GaN高分辨XRD谱(0001)衍射峰的峰位出现了向小角侧的有规律的移动。并在较高剂量时衍射峰发生分裂。本文对衍射峰的峰位的移动、峰形的变化这些现象反映的辐照损伤机制进行了研究，并探讨了电子能损与核能损各自在晶格损伤中的作用。
随着数据业务的飞速增长,人们对带宽的需求也越来越大,无源接入光网络被认为是满足这种需求的最有效的途径之一;而随着光网络的发展和微精细加工技术的成熟,光微机电系统也得到越来越多的关注。本文提出了一种基于光微机电系统的智能分光器,应用于无源光接入网络中,动态的根据用户的需求分配光信号,通过仿真可以看出.提出的新型智能分光器可以有效提高接入网络的性能。
随着Ⅲ-Ⅴ族单片集成电路集成度逐渐向SOC演进,工作频率逐渐进入THz波段,半导体工艺即将突破20m,单片集成电路的在片测试技术已经成为阻碍单片集成电路技术继续突破的瓶颈问题。中科院上海微系统与信息技术研究所基于具有自主知识产权的60GH单片低噪声放大器作为待测件,通过自主搭建的Up to 110GHk毫米波单片集成电路测试平台实现60GHk单片集成电路在片S参数与噪声系数测试,最终实际测试结果不