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本文通过对聚酰亚胺材料的选择、旋涂工艺控制解决了厚层聚酰亚胺(PI)介质层的制备难题,制备的厚层介质厚度为11±1μm.通过控制NaOH溶液浓度和温度的方法实现了厚层介质的湿法刻蚀,蚀刻边缘坡度为10°左右.
厚层聚酰亚胺介质层制备及湿法刻蚀工艺研究
【摘 要】
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本文通过对聚酰亚胺材料的选择、旋涂工艺控制解决了厚层聚酰亚胺(PI)介质层的制备难题,制备的厚层介质厚度为11±1μm.通过控制NaOH溶液浓度和温度的方法实现了厚层介质的湿
【机 构】
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中国电子科技集团公司第14研究所,南京,210013
【出 处】
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第十四届全国混合集成电路学术会议
【发表日期】
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2005年期
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