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本文对溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术进行了研究。文章介绍了使用直流磁控反应溅射工艺攻克该难题的方法,即通过对影响电阻结构的多种工艺要素的实验归纳,寻找出了制作高方阻CrSi电阻的最佳工艺条件。
溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术
【摘 要】
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本文对溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术进行了研究。文章介绍了使用直流磁控反应溅射工艺攻克该难题的方法,即通过对影响电阻结构的多种工艺要素的实验归纳,寻找出了制作高方
【机 构】
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中国航天时代电子公司第771研究所,西安,710054
【出 处】
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第十四届全国混合集成电路学术会议
【发表日期】
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2005年9期
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