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本文通过对晶体生长过程中的马兰哥尼对流的研究,探讨了控制马兰哥尼对泫,可以控制熔硅自由表面SiO<,2>的挥发,从而达到控制硅单晶中氧含量的目的.
马兰哥尼对流与硅中氧含量控制
【摘 要】
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本文通过对晶体生长过程中的马兰哥尼对流的研究,探讨了控制马兰哥尼对泫,可以控制熔硅自由表面SiO的挥发,从而达到控制硅单晶中氧含量的目的.
【机 构】
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河北工业大学材料学院(天津)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年6期
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