【摘 要】
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根据单光子雪崩二极管的探测机理，分析了死区时间对其光子计数效率的影响.利用马尔科夫更新过程，推导了关于死时间和平均光子入射率的光子计数分布公式.并用蒙特卡洛仿真进行了验证.在此基础上，分析了单光子雪崩二极管死时间对光子计数成像对比度的影响.在背景光子入射率为10MCPS的情况下，死时间将导致光子计数成像对比度下降76.4％.
【机 构】
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江苏省光谱成像与智能感知重点实验室,南京 210094;微光夜视技术国防科技重点实验室,西安 710065
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根据单光子雪崩二极管的探测机理，分析了死区时间对其光子计数效率的影响.利用马尔科夫更新过程，推导了关于死时间和平均光子入射率的光子计数分布公式.并用蒙特卡洛仿真进行了验证.在此基础上，分析了单光子雪崩二极管死时间对光子计数成像对比度的影响.在背景光子入射率为10MCPS的情况下，死时间将导致光子计数成像对比度下降76.4％.
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