【摘 要】
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研究了射频反应磁控溅射制备ZrO2薄膜中，偏压对薄膜相结构及光学性能的影响。实验发现，随直流偏压的增加，在玻璃和单晶硅基片上淀积的ZrO2薄膜，其相结构变化出现差异，且均为多晶和
【机 构】
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西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，陕西 西安，710049
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研究了射频反应磁控溅射制备ZrO2薄膜中，偏压对薄膜相结构及光学性能的影响。实验发现，随直流偏压的增加，在玻璃和单晶硅基片上淀积的ZrO2薄膜，其相结构变化出现差异，且均为多晶和非晶的混合相结构。在单晶硅基片上，当偏压高于-80V时，生成Zr-O-Si相。这主要与偏压升高后反溅作用增强有关。在高偏压下，ZrO2薄膜由平均晶粒大小在50nm的等轴晶组成，并成网格状分布。ZrO2薄膜的透射率随偏压的升高而增大，但均低于未加偏压时的透射率。
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