ZnO/CdSe宽─窄带隙复合电极的电化学制备及其光电性能

来源 :第十四次全国电化学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hu_20092009
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两种不同带隙半导体层状复合电极中,宽窄禁带半导体在不同波长下光电响应不同,相互补充,拓宽了光电响应的光谱范围,另外两种半导体相互作用,对表面起钝化作用,减少了两种半导体内的表面态,能带结构的匹配,可以更有效地将光生载流子分离,减少光生电荷的复合,表现出很好的光电性能。CdSe是一种优良的半导体光电材料,其禁带宽度(Eg)仅为1.7eV,光吸收系数大,对太阳光有很好的吸收和光电转换性能。ZnO一般作为发光材料,其禁带宽度较大(3.2eV),光电转换性能较差.我们在ITO电极上制备了ZnO纳米棒,CdSe纳米微粒膜,及ZnO/CdSe层状复合电极三种半导体电极,并研究其光电性能。
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用催化氧化法制备了四针状氧化锌T-ZnO粉体,用Sol-Gel法制备纳米TiO和T-ZnO-TiO粉体,并以其为前驱体制得纳米微粒与聚甲基丙烯酸甲酯的复合膜。用x-射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和循环伏安(I-V)等方法表征及测定复合薄膜的表面结构与催化活性。紫外-可见吸光光度法等研究结果表明,以杀菌紫外灯作光源,在纳米T-ZnO-TiO与聚甲基丙烯酸甲
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