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非晶硅薄膜由于其光吸收系数高、原材料来源广泛、制备成本低以及易于大规模生产等优点，被认为是当前最重要的光伏材料之一。本研究采用射频磁控溅射(RF-MS)法在不同温度下制备了非晶硅(a-Si)薄膜，以研究衬底温度对硅薄膜光学带隙的影响。研究表明a-Si薄膜光学带隙与内部缺陷、悬挂键和杂质等密切相关。衬底温度变化会显著影响a-Si薄膜内部缺陷和悬挂键的形成，进而改变其结构及性能。