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该文研究了重掺锑硅单昌生长过程中锑的发凝行为，指出在同样的工艺参数下，热场不同，锑的有效分凝系数有很大的差异。同时对收集的挥发沉淀物，通过ＸＲＤ，ＸＲＳ分析其成份，发现锑以氧化物形式挥发，并对锑的挥发机制进行了探讨。
重掺锑硅单晶生长中锑的分凝与挥发
【摘 要】
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该文研究了重掺锑硅单昌生长过程中锑的发凝行为，指出在同样的工艺参数下，热场不同，锑的有效分凝系数有很大的差异。同时对收集的挥发沉淀物，通过ＸＲＤ，ＸＲＳ分析其成份，发现锑以氧化物形式挥
【机 构】
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大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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