纳米TiO抗菌剂及其抗菌塑料的性能

来源 :2002年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wujian
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研究了纳米TiO<,2>以及纳米TiO<,2>/PP、TiO<,2>/PE、TiO<,2>/PS复合材料的抗菌性能及其抗菌机理.结果表明:纳米TiO<,2>对常见的各种菌种起到优良的抗菌作用.对于添加了纳米TiO<,2>的PP、PE、PS的复合材料,其抗菌率也达到了85﹪以上.
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首次全面测试了采用PECVD生长的掺杂(硼、磷)nc-Si:H薄膜的残余应力.利用XRD、RAMAN、HRTEM研究了掺杂nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si:H薄膜的残余应力.结果表明:利用PECVD通过控制工艺参数制备的掺杂nc-Si:H薄膜具有晶态与非晶态两种成分.晶态部分由3~8nm金刚石结构的纳米硅晶粒(nc-Si)组成,薄膜的晶态率约为40﹪~60﹪;晶粒间
采用CdZn作退火源,对Bridgman法生长获得的CdZnTe晶片进行了退火处理.测试结果表明,退火后,晶片的成分分布更均匀,结晶质量得到提高,红外透过率和电阻率都十分接近本征CdZnTe的值.从缺陷和杂质的角度,本文分析了晶片性能优化的原因.
近年来,铟铝镓氮(InAlGaN)四元合金因其晶格常数和带隙可以独立调节而备受青睐,而生长温度对InAlGaN薄膜质量和性能有很大的影响.本文采用低压金属有机物气相外延,系统研究了不同温度下在蓝宝石衬底上生长InAlGaN四元合金薄膜.在保持金属有机源和氨气流量不变的条件下,改变四元合金的生长温度(800~880℃),得到了不同组分的外延薄膜.除试样2Y02-009处,薄膜中的铟含量随生长温度升高
本文报道了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi形成欧姆接触的结构和电学特性.采用原位硼烷(BH)掺杂技术在蓝宝石(0001)衬底上用LPCVD方法生长p-3C-SiC外延膜.Hall测量其载流子浓度分别为P=1.33×10cm和P=4.52×10cm.将制得的样品分别在450℃,600℃和710℃下退火.用TLM方法测量其特征电阻,测得Al/p-3C-SiC欧姆接触在710℃退火之后
本文报道了稀土金属Eu掺杂的PbZrTiO(PEZT)铁电薄膜的溶胶-凝胶制备及其铁电性能研究.通过优化掺杂剂的含量,获得了具有优良铁电性能的沉积于Pt/Ti/SiO/Si衬底上的PEZT薄膜.其剩余极化值达40μC/Cm,漏电流为2×10A/cm(在250kV/cm电场下测得),极化疲劳特性明显改善(经过10次极化翻转后,剩余极化值仅减少15﹪)等.初步分析了Eu掺杂改性机理.
在中波红外波段(3~5μm),PtSi/Si肖特基势垒探测器在大规模焦平面阵列中得到迅速发展,但量子效率是制约其发展的关键因素之一.降低PtSi/p-Si的肖特基势垒高度,可以拓展PtSi/p-Si红外探测器的截止波长,并提高量子效率.通过气相激光化学掺杂技术在PtSi/Si界面上引入超浅结,对PtSi/p/p-Si薄膜的界面成分分布及肖特基特性研究表明,既避免了隧道效应,又利用镜像力电场降低了有
SiO薄膜由于具有良好的透光性和低的光损耗性能,在光的分束合束、波分复用等集成光学及高精度光栅等元器件中具有重要应用.这些薄膜的光波导制备通常采用传统光刻或干法腐蚀,工序多、成本高,也难以达到更高的精度.本研究采用化学修饰结合溶胶-凝胶法制备出具有感光性的凝胶薄膜,进而制备出SiO薄膜的沟槽型微细图形.还研究了紫外光照对薄膜折射率的影响及随热处理温度的变化规律,提出了折射率变调型光栅制备新方法.
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