具有多量子阱数目的InGaN/GaN量子阱结构的阴极荧光特性分析

来源 :第十四届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tianzhizui
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本文研究了30周期的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构的阴极荧光特性,揭示了光学性质和结构性质的关系.在InGaN/GaN量子阱层底部, 沿量子阱生长方向出现蓝移,这是由于沿生长方向In组分降低造成的.在量子阱顶部,由于In组分分凝,观察到明显的发光峰分裂.因此,整个MQW结构分为两部分:一部分是应变的底层,另一部分是包含富In区的部分弛豫的顶层.
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