非晶硅太阳电池的光电性能分析

来源 :第九届中国太阳能光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zuozqzq7013
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许多专家认为薄膜电池是太阳电池的发展方向,但是,非晶硅电池产业为什么没有人们预想的发展速度呢?本文从S-W效应、温度系数、I~V特性、光吸收几方面进行了初步分析与讨论,共业内人士参考.
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户用型风光互补系统在我国有很大的应用前景,为了在相同的资源条件下获得更多的能量,必须采取最大功率点跟踪控制(maxiumpowerpointtrackingMPPT),但会增加系统的成本和技术复杂性.本文提出了采用扰动观测回探法进行MPPT控制,基于自适应控制方法,采用同一个DC/DC充电控制环节对风力发电和太阳能发电的最大功率点同时进行跟踪,这样可大大降低成本,并使的控制简单化.
本实验利用本征氢化非晶硅来钝化a-Si:H和c-Si的界面,从而提高电池的转换效率.制备a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池所用的单晶硅片为250μm厚,电阻率为1Ω·cm,晶向为(100)的n型CZ-Si片.首先对c-Si片进行RCA清洗,然后将清洗好的n型CZ-Si片烘干,真空蒸发铝,蒸铝后再在烧结炉中650℃下烧结铝背电极后放置备用.使用前分别用丙酮和酒精各超声清洗5分钟,并用冷
本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术,通过改变电极间距同时调整硅烷浓度(SC)的方法沉积了一系列的微晶硅薄膜材料,测试其生长速率、次带吸收系数及微结构,研究电极间距对微晶硅薄膜生长速率及其性能的影响.结果表明,薄膜的沉积速率随电极间距的增大而提高,材料的晶化率先升高后降低;低缺陷态的器件质量级微晶硅材料要在适当的电极间距和非晶/微晶过渡区得到.本文在电极间距为12mm硅烷浓度为5.5﹪的条件
背腐蚀可以用来取代常规的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的PN结分开.本文中背腐蚀使用了HF/HNO3体系,正面没有使用掩膜.用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效应IQE.用背腐蚀代替等离子刻蚀的晶体硅太阳能电池的ISC,VOC和电池效率都得到提高.
本文根据量子效率与电池参数关系,对常规硅太阳电池量子效率进行了计算机模拟和分析,开发了量子效率模拟软件,通过输入硅太阳电池特性参数(如结深、耗尽区宽度、基区宽度、电子扩散长度、空穴扩散长度、前表面复合速率、背表面复合速率等)模拟出量子效率理论值;另一方面,通过输入量子效率实际测量值,拟合模拟曲线,汲取出电池的特性参数.利用此仿真程序模拟的少子扩散长度与实际测量值的误差在3.6﹪之内;探讨了各特性参
本文介绍一种单相光伏并网发电系统.该系统在逆变电路基础上增加了一级能量可双向流动的升降压电路实现蓄电池充放电.逆变电路采用单相全桥结构,可实现能量的双向流动.采用TMS320F2812DSP芯片作为系统主控制器件.
本文介绍了一种独立光伏电站的计算机优化设计.该设计针对决定电站成本的主要设备太阳电池和雷电池,以成本最优作为优化目标,基于发电能量和用电能量平衡的设计思想,运用缺电时法,建立了数学模型,用MATLAB语言,编制了计算机程序.该设计以寻求成本最优为前提,优化设计出电站太阳电池的安装倾角、容量,蓄电池的容量,并且估算出电站投资.本文最后以中国青海省玉树州治多县索加乡独立光伏电站为例,进行实际优化设计,
本文是以无锡国家工业设计园300KW光伏并网示范工程项目为例,详细介绍了光伏并网系统的设计全过程.在设计方面主要讨论了:太阳能电池方阵屋顶安装结构系统设计、并网电气系统设计、并网接入系统设计等.通过具体工程实例,探讨并总结光伏并网发电系统设计应遵循的基本原则及其注意事项.本项目的成功实施,形成一套完整的光伏并网系统项目商业化运作的政策和文件,为将来光伏并网系统项目大面积推广打下坚实的基础.
本文介绍了一种新型的低压小功率光伏LED道路照明系统.该系统使用了Motorola公司的MC68HC908JK3ECP单片机(以下称JK3)来实现对照明时间的控制和对蓄电池的多种保护控制,并通过基于HV9910的升降压DC/DC变换技术,实现了LED的恒流驱动.恒流驱动可确保系统内所有LED的亮度基本保持一致,不会因为过流而损坏.通过斩波控制,在额定电流范围内可实现LED电流连续平滑的调节,从而实
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