活体区域网络理论背景初探

来源 :中国电子学会第十四届信息论学术年会暨2007年港澳内地信息论学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xingxingshuaige
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This paper reports an attempt to develop a theoretical background for personal Body Area Network (BAN) which is important for wearable medical device. BAN, which employs human body as a "wet wire" for data communication channel and operates on several mill watts of power, comes out to be a solution for wearable sensors. This work provides a possibility to analyze the mechanism of transmitting electrical signal through human body, although preliminary and relatively rough.
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随着系统芯片(SoC)复杂性的提高,在验证上的投入迅速增加,各种验证技术应运而生,SoC芯片的软硬件协同验证技术更吸引了IC从业人员的注意力。本文比较了基于虚拟原型机的和基于硬件开发板的两种软/硬件协同验证方法,设计了基于FPGA的SoC芯片软硬件协同验证的硬件开发板平台,完成了软件设计和系统调试,并成功应用于一款专用SoC芯片的系统验证。
DDR2SDRAM高容量和快速度的优点使它获得了广泛的应用,但是其接口与目前广泛应用的微处理器不兼容,需要通过DDR2 SDRAM控制器使得DDR2 SDRAM可以应用到微处理器中。本文介绍了DDR2 SDRAM的基本操作和指令,并给出了DDR2 SDRAM控制器的设计方法,重点在于指令调度和重排序模块的设计,以提高总线利用率,并使用Altera公司的FPGA 器件 Stratix Ⅱ GX EP
近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点,相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛。本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用N-WELL和N管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压NMOS、PMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0
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在IC技术迅猛发展的今天,传统的封装技术已经无法满足人们对于高性能、高集成度、高可靠性电路的要求,于是人们开始探索直接使用裸芯片。本文阐述了裸芯片应用技术发展的必然性以及直接使用裸芯片需要解决的问题,介绍了在借鉴硅基裸芯片的质量与可靠性研究成果,对如何获取与已封装微波芯片具有同等质量与可靠性水平的微波裸芯片进行了研究。
第三代半导体材料即禁带宽度大于2.2eV的宽禁带半导体材料,以禁带宽度增大的顺序,主要包括SiC(3.2eV)、ZnO(3.32eV)、GaN(3.45eV)、金刚石(5.45eV)、AlN(6.20eV)等。目前SiC和GaN的研究相对较为成熟。这两种材料在高温、高频大功率器件和短波长光电子器件方面很有潜力,是目前半导体材料和器件研究领域的热点。本文主要阐述了GaN材料及其异质结在生长方法、材料
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