【摘 要】
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本文首先介绍了高效率SHJ太阳电池研发平台，指出具备2MW从硅片到电池、封装的研发制作能力，分析了SHJ太阳电池结构和特征，提出了高效SHJ太阳电池关键技术，适宜极薄膜均匀沉积的晶体硅表面结构，这是实现高开路电压的前提和基础；异质界面缺陷态调控是实现高开路电压的关键；高迁移率高透光率TCO膜是实现高电流密度和填充因子的关键。并对两种透明导电膜制备技术，以及RPD制备高品质TCO薄膜及应用进行了研究
【机 构】
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Research Center for New Energy Technology(RCNET);Shanghai Institute of Microsystem and Information T
【出 处】
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2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
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本文首先介绍了高效率SHJ太阳电池研发平台，指出具备2MW从硅片到电池、封装的研发制作能力，分析了SHJ太阳电池结构和特征，提出了高效SHJ太阳电池关键技术，适宜极薄膜均匀沉积的晶体硅表面结构，这是实现高开路电压的前提和基础；异质界面缺陷态调控是实现高开路电压的关键；高迁移率高透光率TCO膜是实现高电流密度和填充因子的关键。并对两种透明导电膜制备技术，以及RPD制备高品质TCO薄膜及应用进行了研究。
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