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围绕多晶硅微机械开关中刻蚀牺牲层和消除多晶硅膜的应力这两个关键技术开展实验研究,得到刻蚀牺牲层中光刻胶最大抗腐蚀时间和适用于多晶硅微机械开关研制的弱翘曲多晶硅膜的优化工艺条件,这为进一步研制多晶硅微机械开关打下了基础.
多晶硅微机械开关的关键技术研究
【摘 要】
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围绕多晶硅微机械开关中刻蚀牺牲层和消除多晶硅膜的应力这两个关键技术开展实验研究,得到刻蚀牺牲层中光刻胶最大抗腐蚀时间和适用于多晶硅微机械开关研制的弱翘曲多晶硅膜的优化工艺条件,这为进一步研制多晶硅微机械开关打下了基础.
【机 构】
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重庆大学光电工程学院(重庆) 四川固体电路研究所(重庆)
【出 处】
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第五届全国微米/纳米技术学术会议
【发表日期】
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2001年8期
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