RF-PECVD法制备非晶硅薄膜的耗尽模式研究

来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:camel1650
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)法在聚酰亚胺衬底上制备了非晶硅薄膜,主要研究了射频功率对沉积速率、均匀性、薄膜应力的影响。实验结果表明,射频功率40w,气流量H2:siH4=60sccm:5sccm时,非晶硅薄膜的沉积进入了耗尽模式,速率约为12nm/min;同时薄膜的均匀性得到了明显改善。在此基础上获得了光电转换效率为4.54%(5cm×5cm,AM0,25℃)的聚酰亚胺衬底非晶硅太阳电池;但是非晶硅薄膜的应力随功率的增加而逐渐增大,太阳电池的卷曲现象比较明显。
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