Cd掺杂对溶液法制备Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池性能的影响

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锌黄锡矿结构的Cu2ZnSn(S,Se)4因具有无毒组分、合适的带隙和较高的吸光率(ɑ>104cm-1),在薄膜太阳能电池领域受到广泛的关注。为提高Cu2ZnSn(S,Se)4太阳能电池的性能,阳离子取代的方法被应用于真空法和非真空法的制备中。有报道表明部分Cd取代Zn可改善吸收层的结晶质量、减少带尾态[1,2]。目前,真空溅射法制备的Cu2Zn0.6Cd0.4SnS4器件用CBD沉积CdS的方法掺入Cd,获得了11.5%的效率[1]。溶液法则直接配制含Cd溶液获得了9.24%的效率[2]。本次工作用乙二胺、乙二硫醇体系[3]溶解金属单质、硫单质和镉盐,调节Cd/(Cd+Zn)分别为0%、5%、10%、15%,用旋涂法制备Cu2Zn1-xCdxSn(S,Se)4(CZCTSSe)吸收层。组装结构为Mo/CZCTSSe/CdS/ZnO/ITO/Ag的太阳能电池,并在10%的条件下获得最高效率效率9.69%。与之前报道的结果相比,此次工作采用较少含量的Cd掺杂获得了较高的效率。
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