5.1KW高效非晶硅太阳电池示范电站一年运行结果

来源 :第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanben1104
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本文报导了稳定输出功率为5100 瓦的单结大面积非晶硅太阳电池发电系统运行一年的结果。大量的运行数据表明,日本KANEKA 公司生产的920*920mm2 非晶硅太阳电池组件具有良好的稳定性,主要衰减量发生在运行初期的前3 个月,一年后系统输出趋于平稳,衰减为18.1%,测试结果表明,非晶硅太阳电池发电系统具有良好的弱光特性,与同样标称功率的晶体硅太阳电池相比,具有高的充电效率。
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在制备硅薄膜材料的PECVD 系统中,分别采用普通平行板电极和shower 电极,于相同的工艺条件下考察了电极结构对硅薄膜材料均匀性、光电性能以及微结构的影响。研究发现采用shower 电极使薄膜(400-500nm)均匀性明显改善,在20×20cm 内不均匀性从±12.6﹪下降到±2.1%。而且shower 电极可大大提高硅烷的利用率,因而在相同气体流量下,生长微晶硅材料需要更高的功率密度。文中
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本文用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCMT)膜电极和ITO/TiO2/ CTCMT 复合膜电极的光电转换性质。结果表明,CTCMT 膜为p-型半导体,禁带宽度为2.36eV,价带位置为-5.52eV。在ITO/TiO2/ CTCMT 复合膜电极中存在p-n 异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离。CTCMT 膜修
InP在太阳电池、光探测器、HBT等器件上有重要应用, 本文利用软件ADEPT对晶格失配达8﹪的p-InP/n-GaP系统进行模拟,并取得相关性能参数,寻求一种使得由于使用晶格不匹配的衬底时在外延晶体中所产生的缺陷对器件的性能的影响较小的方法,为在以Si为衬底上外延InP器件提供理论依据。
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通过对太阳电池模型的适当简化,推导出只用短路电流、开路电压和最大功率点三个数据构造出包含光强和温度参数的太阳电池组件的数学模型,模型可用于太阳电池方阵的模拟,结合可编程电源可成为太阳电池方阵模拟电源,满足对太阳电池最大功率跟踪产品的效率和跟踪电压范围的准确检测。
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