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制成一种半导体锑化铟-铟共晶型薄膜材料,并用这种材料制成三端式磁阻元件.把这种磁阻元件置于恒定磁场中,在波长λ<,p>=660nm光脉冲照射下,其中间端点会输出随光脉冲的变化而变化的脉冲电信号.用此元件已制成了新型的磁阻式光电传感器.
半导体磁阻式光电传感薄膜材料及光电传感元件
【摘 要】
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制成一种半导体锑化铟-铟共晶型薄膜材料,并用这种材料制成三端式磁阻元件.把这种磁阻元件置于恒定磁场中,在波长λ=660nm光脉冲照射下,其中间端点会输出随光脉冲的变化而变化的脉冲电信号.用此元件已制成了新型的磁阻式光电传感器.
【机 构】
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华南师范大学信息光电子科技学院量子电子学研究所(广州)
【出 处】
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中国电子学会第十二届电子元件学术年会
【发表日期】
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2002年4期
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