【摘 要】
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本文用高温同相法合成了Si掺杂的BaZr(BO3)2:Eu荧光粉，探讨了不同Si掺杂浓度对电荷转移跃迁的影响，发现由于Si的电负性较强，代替Zr离子后使电荷转移跃迁发生蓝移。由发射光谱得到当掺杂量为20％时发光强度达到最强:用Judd-Ofelt理论研究了不同Si掺杂浓度的Bazr(BO3)2:Eu荧光粉光谱性质。利用发射光谱从实验上确定了晶场强度参数Ωλ(λ=2，4)，发现晶场强度参数Ω2随Si
【机 构】
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天津理工大学材料物理研究所,显示材料与光电器件教育部重点实验室,天津市光电显示材料与器件重点实验室,天津 300191
【出 处】
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全国第14次光纤通信暨第15届集成光学学术会议
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本文用高温同相法合成了Si掺杂的BaZr(BO3)2:Eu荧光粉，探讨了不同Si掺杂浓度对电荷转移跃迁的影响，发现由于Si的电负性较强，代替Zr离子后使电荷转移跃迁发生蓝移。由发射光谱得到当掺杂量为20％时发光强度达到最强:用Judd-Ofelt理论研究了不同Si掺杂浓度的Bazr(BO3)2:Eu荧光粉光谱性质。利用发射光谱从实验上确定了晶场强度参数Ωλ(λ=2，4)，发现晶场强度参数Ω2随Si掺杂量的增大先增大后减小。反映了材料的共价性先增人后减小，稀土离子周围的晶格对称性先降低后升高，进一步影响到电偶极跃迁几率。
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