自石墨烯发现以来,二维材料因其在电学、光学、热学、力学和化学等方面具有优越的性能而被人们广泛关注。而原子层厚的石墨烯或者过渡金属硫化物(TMDs)是一种特别的基底用于在原位透射电子显微镜中制备新的纳米结构。我们利用扫描透射电子显微镜原位观察了在单层二硫化钼表面形成二维金属钼纳米片的动态过程,单层的二硫化钼薄膜既作为二维钼纳米片的生长基底又作为提供金属钼的前驱体,整个生长过程是一种"自给"的生长方式。电镜表征结果发现,在高温下单层的二硫化钼形成了大量的反向晶畴,而钼原子主要吸附在反向晶界上或者晶界附近;其中,单个的钼原子吸附在二硫化钼的钼位点上;二维钼纳米片有两种原子构型,一种是占据二硫化钼六元环的中心,一种是同时吸附在钼和硫的位点上。本实验为在二维原子层厚的薄膜上制备新型的金属纳米结构提供了一种新的制备方法,有利于推进二维薄膜上新型金属纳米结构在各个领域的应用。