【摘 要】
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采用超声波喷涂CVD工艺在石英和硅片衬底上沉积出不同择优晶化的ITO(掺Sn的InO)薄膜.从300℃到500℃,选择衬底温度,可获得晶面(400)或晶面(222)或二者兼顾的平行于衬底的优化取向ITO薄膜,并采用Van der Pauw方法和XPS技术,研究了与择优晶化有关的薄膜的电学性质和结合能.
【机 构】
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上海交通大学物理系太阳能研究所(上海) 上海交通大学理化分析中心(上海)
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采用超声波喷涂CVD工艺在石英和硅片衬底上沉积出不同择优晶化的ITO(掺Sn的In<,2>O<,3>)薄膜.从300℃到500℃,选择衬底温度,可获得晶面(400)或晶面(222)或二者兼顾的平行于衬底的优化取向ITO薄膜,并采用Van der Pauw方法和XPS技术,研究了与择优晶化有关的薄膜的电学性质和结合能.
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