【摘 要】
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本文采用加压MOCVD法在1600Torr压力下生长InN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大影响。当生长温度低于或等于575°C时,可以观察到岛状的表面形貌。当生长温度高于575°c时,通过不同岛之间的合并形成连续薄膜。生长温度在600-650°C,可以很清楚地观察到台阶流表面形貌。然而,随着生长温度进一步增加,在X射线衍射图中,可以观察到来自金属In
【机 构】
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State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, J
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文采用加压MOCVD法在1600Torr压力下生长InN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大影响。当生长温度低于或等于575°C时,可以观察到岛状的表面形貌。当生长温度高于575°c时,通过不同岛之间的合并形成连续薄膜。生长温度在600-650°C,可以很清楚地观察到台阶流表面形貌。然而,随着生长温度进一步增加,在X射线衍射图中,可以观察到来自金属In的衍射峰。实验结果表明,在目前的生长压力下,当生长温度为575°C左右时,薄膜表现出较好的晶体质量且没有金属In析出。
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在碳化硅衬底上通过碳硅共掺杂的方式利用升华法制备出p型氮化铝晶体。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)光谱对样品结构和光学性能进行分析。XRD的测试结果表明晶体的生长方向为c轴方向，晶体质量较好。霍尔测试的结果表明制备出的氮化铝晶体导电类型为p型。经过XPS测试分析，尤其是对Si2p和C ls的分析，发现样品中C替代N的位置起受主作用，而Si替代Al的位置起施主作
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