【摘 要】
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采用外加电磁线圈直流磁控溅射法低温制备了ZnO:Al透明导电薄膜,研究了不同沉积参数对AZO薄膜电学性能的影响.通过改变外加同轴线圈磁场来改变基片处等离子体密度,并用Langmuir探针进行了测量.研究结果表明:低温沉积(＜100℃)时,增加基片区域等离子体密度可以显著改善AZO薄膜的电阻率及其空间均匀性,同时也改善了表面形貌,并对其机理进行了分析。
【机 构】
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中国科学院金属研究所材料表面工程研究部,沈阳,110016
【出 处】
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2006北京国际材料周暨中国材料研讨会
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采用外加电磁线圈直流磁控溅射法低温制备了ZnO:Al透明导电薄膜,研究了不同沉积参数对AZO薄膜电学性能的影响.通过改变外加同轴线圈磁场来改变基片处等离子体密度,并用Langmuir探针进行了测量.研究结果表明:低温沉积(＜100℃)时,增加基片区域等离子体密度可以显著改善AZO薄膜的电阻率及其空间均匀性,同时也改善了表面形貌,并对其机理进行了分析。
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