Polarization-Driven Topological Insulator Transition in a GaN/InN/GaN Quantum Well

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shadao

【摘要】

：

Topological insulators(TIs),a new state of quantum matter,have recently attracted significant attention,both for their fundamental research interest and for their potential device applications [1–2].

【作者】

：

Wen-Kai Lou M.S.Miao Kai Chang

【机构】

：

SKLSM,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,P.O.Box 912,100083,Beijing,China

【出处】

：

中国物理学会2013年秋季学术会议

【发表日期】

：

2013年11期

【关键词】

：

quantum well InN/GaN topological insulator

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