MOCVD制备非晶硅薄膜太阳电池的氧化锌背电极的研究

来源 :第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tangmanzhuo

【摘要】

：

利用LP-MOCVD 生长技术,采用Zn(C2H5)2 作Zn 源和H2O 作氧源,使用硼烷为掺杂气体，制备出了光电特性稳定的较低电阻率、高透过率的氧化锌薄膜。在薄膜面积10cm×10cm 范围内，厚度为5500. 时，方块电阻为40Ω，透过率>85﹪，迁移率为8.56cm2/Vs。应用于非晶硅电池背反射电极后，显著提高了电池的短路电流，从而提高了电池效率。

【作者】

：

徐步衡薛俊明刘金彪赵颖耿新华

【机构】

：

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验

【出处】

：

第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

【发表日期】

：

2004年10期

【关键词】

：

氧化锌硼烷掺杂背电极太阳电池非晶硅薄膜

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