Kesterite-based Cu2ZnSn(S,Se)4 semiconductors are emerging as promising materials for low-cost,environment-benign,and high-efficiency thin-film photovoltaics.
大的开路电压损失(Voc,def)是制约锌黄锡矿结构的CZTSSe 太阳能电池效率提高的关键因素,目前12.6％世界纪录效率CZTSSe 电池的Voc,def 为0.345 V[1].本文分别以SnCl4 和SnCl2·2H2O 为锡的前驱体化合物研究二甲基亚砜(DMSO)溶液法制备的CZTSSe 太阳能电池的开路电压损失问题.
硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势，在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。
A processing based on CZTS or CZTSe quaternary target sputtering has been developed as alternative one [1-2].As the as-deposited precursor is usually crystallinity-poor and sulfur-poor,heat treatment,
在磁控溅射中单靶溅射具有成本低、影响参数少和制备过程简单易重复等特点，目前在制备磁控溅射靶材制备上的报道较少。热压法制备溅射靶材，需要长时间的高温烧结，这不仅会造成能源的浪费，而且会加大靶材制备的难度。
近年来,Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池由于元素组成绿色丰富、理论最高效率超过30％、极具发展前景而受到了广泛的关注.但是,到目前为止,CZTSSe的最高认证效率仅为12.6％,,不仅远低于理论最高效率,还低于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)(23.35％)和CdTe(22.1％)的最高认证效率.
近年来的一些研究表明,前驱溶液的状态如元素价态、配体分子种类等对于制备高效率铜锌锡硫硒(CZTSSe)电池而言是至关重要的。本工作中,我们从巯基乙酸(TGA)-氨水溶液体系出发,通过红外、核磁和拉曼技术研究了前驱体溶液中,TGA分子与金属离子之间配位形式和配位结构的衍变过程。
The anomalous optoelectronic properties of quasi-vertical orientated Chalcostibite CuSbS2 thin film synthesized on glass substrate was studied in details.
通过硒化溅射CuInGa 合金靶得到的CIG 合金预制膜是一种制备结晶性良好的CuInGaSe2 吸收层的方法。这种方法能够保证薄膜大面积的均匀性、生产高效率和低成本，但是得到的吸收层比较粗糙。硒化过程中硒的化合会导致薄膜体积的剧烈变化，从而带来较大的表面粗糙度和劣化的CuInGaSe2/CdS 界面性能[1]。
Environmentally benign and potentially cost-effective Sb2Se3 solar cells have drawn much attention by continuously achieving new power conversion efficiency records.